半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239753
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040501
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】結晶性の良好な多結晶半導体層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】下地基板の表面上にアモルファスの半導体からなる第1の層を堆積する。第1の層に、エネルギビームを照射して、第1の層を多結晶化する。多結晶化した第1の層の表面上に、第1の層と同一組成のアモルファス半導体または多結晶半導体からなる第2の層を堆積する。第2の層にエネルギビームを照射して第2の層の結晶性を変化させる。第2の層にエネルギビームを照射する際に、基板を加熱してもよい。

請求項（抜粋）：

下地基板の表面上にアモルファスの半導体からなる第1の層を堆積する工程と、前記第1の層に、エネルギビームを照射して、第1の層を多結晶化する工程と、多結晶化した前記第1の層の表面上に、前記第1の層と同一組成のアモルファス半導体または多結晶半導体からなる第2の層を堆積する工程と、前記第2の層にエネルギビームを照射して第2の層の結晶性を変化させる工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置,半導体装置の製造方法,薄膜トランジスタ ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置,表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-310825 出願人：三洋電機株式会社
半導体薄膜の結晶化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-332272 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平4-186722

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