特許
J-GLOBAL ID：200903021765624315

半導体薄膜の製造方法

発明者：
西谷 幹彦

西谷 幹彦 について

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坂井 全弘

坂井 全弘 について

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後藤 真志

後藤 真志 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122116
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315651
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 ガラス基板などの非晶質絶縁基板上に高性能な薄膜トランジスタ、光センンサ及び太陽電池などの光起電力素子などに適した高品質な半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板上に第1の前駆体半導体薄膜と第2の前駆体半導体薄膜を積層し、前記第2の前駆体半導体薄膜(表面側の前駆体半導体薄膜)の膜厚の逆数の数倍程度以上の光の吸収係数をもつレーザー光を照射する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に第1の前駆体半導体薄膜と第2の前駆体半導体薄膜を積層し、表面側の前駆体半導体薄膜である前記第2の前駆体半導体薄膜の膜厚の逆数の数倍程度以上の光の吸収係数をもつレーザー光を照射する工程を有することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 31/04 V
Fターム (18件)：
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CA32 ,  5F051CB12 ,  5F051CB25 ,  5F051GA03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA09 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA10 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052JA08 ,  5F052JA09 ,  5F052JA10
引用特許：
審査官引用 (5件)
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