特許
J-GLOBAL ID：200903018104838717

ナノ粒子インクを用いた配線形成方法

発明者：
田中 宏明

田中 宏明 について


出願人/特許権者：
NEC液晶テクノロジー株式会社

NEC液晶テクノロジー株式会社 について


代理人 (3件)： 机 昌彦 ,  工藤 雅司 ,  谷澤 靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-200685
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024695
出願日： 2004年07月07日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】ナノ粒子インクを用いた配線形成にあたり、インク使用効率の向上、インク着弾精度の緩和、配線断面の順テーパ形成を実現すること。【解決手段】第1段階のフォトリソグラフィー工程において、フォトレジスト2を全面に塗布した基板1上に配線領域10を形成する際、そのレジスト断面が逆テーパ形状となるように露光する。ついで、第2段階のインク噴射工程において、インクジェット方式を採用し、ナノ粒子インクを配線領域10に噴射する。その後、レベリング工程、乾燥工程、レジスト剥離工程、焼成工程を経て配線を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上全面にフォトレジストを形成した後、前記フォトレジストに対しフォトリソグラフィー技術を用いて配線領域を形成する配線領域形成工程と、前記配線領域上に金属ナノ粒子を含んだインクを噴射して配線パターンを描画する配線パターン描画工程とを含むことを特徴とするナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/320 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
H01L21/88 B ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/30 573
Fターム (14件)：
4M104BB08 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104FF08 ,  4M104GG20 ,  4M104HH14 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ72 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV15 ,  5F033XX03 ,  5F046NA05
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 銀配線パターンの形成法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-207578   出願人：真空冶金株式会社, 日本真空技術株式会社
  • 導体回路の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-385103   出願人：株式会社安永
審査官引用 (3件)

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