特許
J-GLOBAL ID：200903094222909392
銀配線パターンの形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207578
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035814
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 酸化耐性がよく、電気抵抗値が低く、かつ抵抗の温度係数が小さく、パラジウム等のドープによりEM耐性向上ができる銀配線材料を用いて低プロセスコストで銀配線パターンを形成しうる方法の開発。【解決手段】 室温で蒸発し難くかつ半導体基板上に銀配線を形成する際の乾燥・焼成工程で蒸発するような有機溶媒と、粒径0.001〜0.1μmの銀又は酸化銀超微粒子とを混合して形成され、該超微粒子の表面が該有機溶媒で覆われて個々に独立して分散しており、粘度が室温で1000cP以下である銀超微粒子独立分散液を半導体基板上へ塗布し、加熱して前記有機溶媒を蒸発させ、焼成することによって前記超微粒子を融着させ、半導体基板上に厚さ2μm以下の銀膜を形成し、その後不用部分をエッチング処理して取り除き、半導体基板上に銀配線パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
室温で蒸発し難くかつ半導体基板上に銀配線を形成する際の乾燥・焼成工程で蒸発するような有機溶媒と、粒径0.001〜0.1μmの銀又は酸化銀超微粒子とを混合して形成され、該超微粒子の表面が該有機溶媒で覆われて個々に独立して分散しており、粘度が室温で1000cP以下である銀超微粒子独立分散液を半導体基板上へ塗布し、加熱して前記有機溶媒を蒸発させ、焼成することによって前記超微粒子を融着させ、半導体基板上に厚さ2μm以下の銀膜を形成し、その後不用部分をエッチング処理して取り除き、半導体基板上に銀配線パターンを形成する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/288 M
, C23C 24/08 Z
4K044AA11
, 4K044BA08
, 4K044BA12
, 4K044BA21
, 4K044BB01
, 4K044BB10
, 4K044CA22
, 4K044CA24
, 4K044CA27
, 4K044CA53
, 4K044CA62
, 4K044CA64
, 4M104BB08
, 4M104BB39
, 4M104DD51
, 4M104HH01
, 4M104HH16
