特許
J-GLOBAL ID：200903018163876231

半導体製造装置

発明者：
高森 益教

高森 益教 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-029268
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231712
出願日： 2001年02月06日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 本発明は絶縁膜形成工程でウエーハ上に膜を成膜した後にin-situクリーニングを実行する半導体製造装置に関し、in-situクリーニング中に、通常の成膜の場合と同じ真空系が使用できるようにすることを目的とする。【解決手段】 半導体ウエーハ202に絶縁膜を成膜する処理を行うためのプロセスチャンバー201を設ける。ターボ分子ポンプ211を含む真空系をプロセスチャンバー210に接続する。プロセスチャンバー201とターボ分子ポンプ211との間に、圧力制御用のスロットルバルブ209と、両者を遮断するメインバルブ210と、所定の開口を有する弁体を備える開閉バルブ214とを配置する。成膜処理の際に開閉バルブ214を開状態とし、かつ、in-situクリーニングの際に開閉バルブ214を閉状態とする制御装置を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハに絶縁膜を成膜する半導体製造装置であって、絶縁膜の成膜処理を行うためのプロセスチャンバーと、前記プロセスチャンバー内のガスを排出する真空ポンプと、前記プロセスチャンバーと前記真空ポンプとの間に配置される圧力制御用バルブと、前記プロセスチャンバーと前記真空ポンプとを遮断するメインバルブと、所定の開口を有する弁体を備え、前記プロセスチャンバーと前記真空ポンプとの間に配置される開閉バルブと、を備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/302 N
Fターム (19件)：
4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA41 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BC02 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA17 ,  5F045AA08 ,  5F045BB15 ,  5F045EB02 ,  5F045EB06 ,  5F045EG02 ,  5F045EG06 ,  5F045EH11
引用特許：
出願人引用 (5件)
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