半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-178293
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010565
出願日： 2006年06月28日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】本発明は、複数の縦型有機トランジスタを用いた、インバータ特性を示す半導体デバイスを提供することを課題とする。【解決手段】第一の電極21と、第一の電極上21の第一の半導体層22、24と、第一の半導体層22、24上の第三の電極25と、第一の半導体層22、24の導電型と導電型が同一である第三の電極25上の第二の半導体層26、28と、第二の半導体層26、28に挿入された第五の電極29と、第一の半導体層22、24に挿入された第二の電極23と、第二の半導体層26、28中に挿入された第四の電極27とを有することを特徴とする半導体デバイス。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

第一の電極と、前記第一の電極上の第一の半導体層と、前記第一の半導体層上の第三の電極と、前記第一の半導体層の導電型と導電型が同一である前記第三の電極上の第二の半導体層と、前記第二の半導体層上の第五の電極と、前記第一の半導体層に挿入された第二の電極と、前記第二の半導体層に挿入された第四の電極とを有することを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 29/80 , H01L 21/28 , H01L 29/41 , H01L 27/095 , H01L 51/05

FI (6件)：

H01L29/80 V , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/44 P , H01L29/80 E , H01L29/28 100A

Fターム (29件)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104FF11 , 4M104GG14 , 5F102FB01 , 5F102GA02 , 5F102GB06 , 5F102GC05 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GJ09 , 5F102GJ10 , 5F102GL01 , 5F102GM01 , 5F102GS03 , 5F102GS10 , 5F102GT02

引用特許：

審査官引用 (6件)

縦型有機トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-125877 出願人：株式会社リコー
半導体装置及び半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-133536 出願人：富士通株式会社
特開昭58-035981

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