薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉田研二 , 石田純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-304164
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141197
出願日： 2007年11月26日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】高移動度かつ高オン/オフ比を有する薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタであって、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層とを含み、前記ソース電極と前記ドレイン電極とはそれぞれ第1層と第2層とを含み、前記ソース電極の第1層の仕事関数と前記半導体層のエネルギレベルとの差は、最低0.5eVであり、前記ソース電極の第2層の仕事関数と前記半導体層のエネルギレベルとの差は、最大0.2eVであり、前記半導体層のチャネル長は20マイクロメートル以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタであって、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層とを含み、前記ソース電極と前記ドレイン電極とはそれぞれ第1層と第2層とを含み、前記ソース電極の第1層の仕事関数と前記半導体層のエネルギレベルとの差は、最低0.5eVであり、前記ソース電極の第2層の仕事関数と前記半導体層のエネルギレベルとの差は、最大0.2eVであり、前記半導体層のチャネル長は20マイクロメートル以下である薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 29/417 , H01L 21/28

FI (6件)：

H01L29/78 616U , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/28 100A , H01L29/50 M , H01L21/28 301B

Fターム (71件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE18 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110BB10 , 5F110BB20 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,770,904号明細書

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-321870 出願人：株式会社日立製作所
有機半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-208212 出願人：パイオニア株式会社
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-238087 出願人：ソニー株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

化学便覧基礎編改訂5版, 20040220, II-609
化学便覧基礎編改訂5版, 20040220, II-609

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