特許

J-GLOBAL ID：200903018271370239

p型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 三木 久幸 ,  奥山 峰夫 ,  尾嶋 正治 ,  藤岡 洋 ,  脇 一太郎
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 福田 賢三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207701
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026389
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 発光層の結晶の劣化を招くことなく、またコンタミネーションを生じることなく、p型の導電性を発揮させることができ、さらに低コストで作製でき、電極との良好なオーミック接触をも実現することができるようにする。【解決手段】 この発明のp型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法では、p型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層3を作製する第1の工程と、その窒化ガリウム系化合物半導体層3上に金属等からなる触媒層7を作製する第2の工程と、その触媒層7を付けた状態での窒化ガリウム系化合物半導体層3を熱処理する第3の工程とを含む、ことを特徴とする

請求項（抜粋）：

p型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法において、p型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層を作製する第1の工程と、上記窒化ガリウム系化合物半導体層上に金属等からなる触媒層を作製する第2の工程と、上記触媒層を付けた状態での窒化ガリウム系化合物半導体層を熱処理する第3の工程とを含む、ことを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 C

Fターム (42件)：

4K030AA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA01 ,  4K030DA03 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA03 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045EK02 ,  5F045EK11 ,  5F045EN04 ,  5F045GH09 ,  5F045HA14 ,  5F045HA16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• p型III-V族窒化物半導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-163120   出願人：松下電子工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-330944   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-244257   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに発光素子の製造方法及び発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-343524   出願人：シャープ株式会社