特許
J-GLOBAL ID：200903064668252366
p型III-V族窒化物半導体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-163120
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354458
出願日： 1998年06月11日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 Mg添加III-V族窒化物半導体結晶中の水素を排除し低抵抗のp型III-V族窒化物半導体を得る。【解決手段】 GaN基板1の上にアンドープGaN層2、Mg添加のGaN層3、Pd薄膜5を順次形成した後、GaN基板1を加熱処理炉に投入し、加熱温度を500°C以下にして、窒素ガス雰囲気中で30分加熱処理する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上に形成されたp型の導電性を有するIII-V族窒化物半導体と、前記III-V族窒化物半導体の上に形成された、水素を吸着する導電性物質よりなる薄膜とを有し、前記III-V族窒化物半導体はマグネシウムを含み、前記薄膜と前記III-V族窒化物半導体との間でオーミック特性を有することを特徴とするp型III-V族窒化物半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
