特許
J-GLOBAL ID：200903054432265186
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-330944
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145518
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】熱処理温度を低減させること。【解決手段】サファイア基板1上にはAlNから成るバッファ層2,Siドープのn型GaN層3,GaNから成るバリア層41とGa0.8In0.2Nから成る井戸層42とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層4及びp型GaN層5が順次積層形成されている。その後、Co金属薄膜を層5の上に形成して熱処理して層5を低抵抗化し、その金属薄膜を除去した。そして、p型層5上にはCoから成る第1金属層61と,Auから成る第2金属層62との透光性のp電極6と電極パッド7とを順次形成し,n型層3上には,VとAl又はAl合金から成るn電極8を形成した。p型層5上に形成された第1 金属層61は酸化しやすいCoから成り, 酸化したCoは熱処理時にp型層5から水素を引き抜いて還元反応を生じ, 熱処理をO2雰囲気中で行うことで, 還元されたCoが再び酸化されてp 型層5 から水素を引き抜く。このようにして,p型層5のp型化が促進され, 熱処理温度を低減できる。
請求項（抜粋）：
p型の窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法において、アクセプタ不純物の添加された窒化ガリウム系化合物半導体の表面に金属から成る薄膜を形成した後、熱処理をすることで低抵抗p型半導体を得ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 29/43
, H01S 3/18
, H01L 21/205
H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 29/46 H
