特許
J-GLOBAL ID：200903018273561449
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-222607
公開番号（公開出願番号）：特開2003-196989
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、NAND型フラッシュメモリアレイに複数のページを書き込むための総所要時間を短縮する技術を提供する。【解決手段】 書き込みは2部分に分割される。第1の部分は、次のページを取得し、中間バッファに保持すると共に、ページバッファに保持された現在のページはメモリアレイをプログラムするため使用される。次のページがページバッファに取り込まれる。次のページがメモリアレイにプログラムされるのと並行して、別のページが入力され、中間バッファに保持される。これにより、総所要時間を短縮して、NAND型フラッシュメモリアレイに複数のページを実質的に途切れなく書き込めるようになる。
請求項（抜粋）：
第1のページを含む第1のデータ入力を取得する手順と、第2のページを含む第2のデータ入力を取得するときに並行して該第1のページをプログラムする手順と、を有する、パイプライン化によって複数のページを不揮発性半導体メモリへ書き込む方法。
IPC (2件)：
FI (5件)：
G11C 17/00 611 Z
, G11C 17/00 601 D
, G11C 17/00 601 T
, G11C 17/00 611 G
, G11C 17/00 622 E
5B025AA01
, 5B025AD04
, 5B025AD15
, 5B025AE05
