特許

J-GLOBAL ID：200903037093754677

半導体集積回路

発明者： 中村 寛 ,  今宮 賢一 ,  山村 俊雄 ,  細野 浩司 ,  河合 鉱一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311475
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249082
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】NANDセル型EEPROMにおいて、データ書込み動作中に並行して書き込みデータの入力動作を可能とし、書き込みシーケンス全体の所要時間を短縮する。【解決手段】動作終了後にその動作のパス/フェイル結果が半導体チップ内に保持される第1の動作及び第2の動作を備え、第1の動作と第2の動作を連続して行った際に、第1及び第2の動作終了後に第1の動作のパス/フェイル結果と第2の動作のパス/フェイル結果の両方を出力する動作を有する。

請求項（抜粋）：

第1の動作と第2の動作を連続して行い、前記第1の動作の終了後にその動作のパス/フェイル結果を内部で保持し、前記第2の動作の終了後にその動作のパス/フェイル結果を内部で保持し、前記第1及び前記第2の動作終了後に前記第1の動作のパス/フェイル結果と前記第2の動作のパス/フェイル結果の両方を外部に出力することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06

FI (6件)：

G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 614 ,  G11C 17/00 636 A ,  G11C 17/00 636 B ,  G11C 17/00 634 G

Fターム (7件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD06 ,  5B025AE05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-323199   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

• 不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-086380   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-239696
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-210843   出願人：富士通株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-323199   出願人：株式会社東芝
• フラッシュメモリのライトステートマシンのハードウェアリセット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-244490   出願人：シャープ株式会社