特許

J-GLOBAL ID：200903018328164282

光半導体装置の製造方法

発明者： 末廣 一郎 ,  堀田 祐治 ,  貞瀬 直樹 ,  釜田 卓
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-406400
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167092
出願日： 2003年12月04日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】光半導体素子の樹脂封止を簡便に、かつ均一に行うことができる光半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】光半導体装置の製造方法であって、(1) 導体上に搭載した光半導体素子上に樹脂層を形成する工程、及び(2) 工程(1)で形成した樹脂層を加圧成型する工程を有する、光半導体装置の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

光半導体装置の製造方法であって、 (1) 導体上に搭載した光半導体素子上に樹脂層を形成する工程、及び (2) 工程(1)で形成した樹脂層を加圧成型する工程 を有する、光半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L33/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

FI (5件)：

H01L33/00 N ,  H01L21/56 E ,  H01L21/56 J ,  H01L23/28 D ,  H01L23/30 F

Fターム (21件)：

4M109AA01 ,  4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA10 ,  4M109CA22 ,  4M109EC11 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19 ,  5F041DA46 ,  5F041DA58 ,  5F041DA59 ,  5F061AA01 ,  5F061AA02 ,  5F061BA01 ,  5F061CA10 ,  5F061CA22 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13 ,  5F061FA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-221945   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (7件)

• 面発光レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-333089   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 面実装型光半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-105189   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-009386   出願人：松下電子工業株式会社
• 絶縁被覆材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-165441   出願人：三井東圧化学株式会社
• 半導体素子封止用封止ラベル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-282311   出願人：日東電工株式会社
• 高屈折率ポリカルボジイミド及びその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-032929   出願人：日東電工株式会社
• 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-249550   出願人：シャープ株式会社