特許
J-GLOBAL ID：200903018364917440

III族窒化物半導体層の製造装置、III族窒化物半導体層の製造方法、III族窒化物半導体発光素子の製造方法、III族窒化物半導体発光素子及びランプ

発明者：
横山 泰典

横山 泰典 について

, 
岡部 健彦

岡部 健彦 について

, 
三木 久幸

三木 久幸 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-184027
公開番号（公開出願番号）：特開2009-124100
出願日： 2008年07月15日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】優れた結晶性を有するIII族窒化物半導体層を形成できる製造装置を提供する。【解決手段】基板11上にIII族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバ41と、チャンバ41内に配置されたIII族元素を含有するターゲット47と、ターゲット47をスパッタして原料粒子を基板11に供給する第1プラズマを発生させる第1プラズマ発生手段51と、窒素元素を含む第2プラズマを発生させる第2プラズマ発生手段52と、第1プラズマ発生手段51と第2プラズマ発生手段52とを制御して、チャンバ41内に第1プラズマと第2プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えるIII族窒化物半導体層の製造装置とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にIII族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、 チャンバと、 前記チャンバ内に配置されたIII族元素を含有するターゲットと、 前記ターゲットをスパッタして原料粒子を前記基板に供給する第1プラズマを発生させる第1プラズマ発生手段と、 窒素元素を含む第2プラズマを発生させる第2プラズマ発生手段と、 前記第1プラズマ発生手段と前記第2プラズマ発生手段とを制御して、前記チャンバ内に前記第1プラズマと前記第2プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えることを特徴とするIII族窒化物半導体層の製造装置。
IPC (5件)：
H01L 21/203 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (7件)：
H01L21/203 S ,  C23C14/06 A ,  C23C14/34 N ,  C23C14/34 V ,  C23C14/34 S ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (40件)：
4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029EA01 ,  4K029EA05 ,  4K029EA06 ,  4K029GA02 ,  4K029JA02 ,  4K029KA01 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041DB01 ,  5F045AA15 ,  5F045AA19 ,  5F045AA20 ,  5F045AB14 ,  5F045AC15 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045EH13 ,  5F045EN04 ,  5F045HA24 ,  5F103AA08 ,  5F103BB16 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103LL02 ,  5F103PP14 ,  5F103PP19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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