特許
J-GLOBAL ID:200903018388787653

半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-271768
公開番号(公開出願番号):特開2004-158827
出願日: 2003年07月08日
公開日(公表日): 2004年06月03日
要約:
【課題】 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関して、信頼性の低下を防ぐことにある。【解決手段】 半導体ウエハ10は、配線の端部であるパッド18と電気的に接続する再配線層22と、再配線層22の上方に設けられた第1の樹脂層30と、第1の樹脂層30の上方に設けられてその側面を覆う第2の樹脂層28と、パッド22の上方を避けるように再配線層22に電気的に接続して設けられた外部端子26と、を含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
集積回路と、前記集積回路に電気的に接続する配線と、を含み、前記配線の端部であるパッドを表面に含む半導体本体と、 前記半導体本体の上方に設けられ、前記パッドと電気的に接続し、前記パッドの上方に位置する第1の部分と前記第1の部分を除く第2の部分とを含む再配線層と、 前記再配線層の上方に設けられた第1の樹脂層と、 前記第1の樹脂層の上方に設けられ、前記第1の樹脂層の側面を覆う第2の樹脂層と、 前記再配線層の前記第2の部分の上方に、前記再配線層に電気的に接続して設けられた外部端子と、 を含むことを特徴とする半導体ウエハ。
IPC (1件):
H01L23/12
FI (1件):
H01L23/12 501P
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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