高純度亜鉛の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-092677
公開番号（公開出願番号）：特開2004-256907
出願日： 2003年02月24日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】塩化亜鉛の電解により高純度亜鉛を得るにあたり▲1▼塩化亜鉛から高純度亜鉛を生成させると共に副生する塩素もそのまま金属珪素の塩素化プロセスに使用できる品質であること。▲2▼小型の設備で亜鉛の生成が可能となること。▲3▼ソーラーセルグレイドのシリコンを得るのに十分な高純度亜鉛の製造が容易に出来ること。▲4▼製造にかかるエネルギー消費が十分に小さいことを課題とした。【解決手段】塩化亜鉛を原料とし、底部に亜鉛融液だめを有し、上部に生成ガス捕集機能を有する電解槽を使用し、支持電解質としてアルカリ金属塩化物を加えて溶融し、溶融塩電解により電解を行い、電解槽上部からガス状で塩素を取り出し、亜鉛を融体で電解槽下部から取り出し、該融体亜鉛を蒸留装置に移液した後、蒸留により高純度亜鉛を得ると共に、蒸留残渣を電解槽に戻すようにした事を特徴とする高純度亜鉛の製造方法でありこれによって、支持電解質の電解生成物である亜鉛中への混入をなくし高純度の亜鉛を得ることができるようになった。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

塩化亜鉛を原料とし、底部に亜鉛融液だめを有し、上部に生成ガス捕集機能を有する電解槽を使用し、支持電解質としてアルカリ金属塩化物を加えて溶融し、溶融塩電解により電解を行い、電解槽上部からガス状で塩素を取り出し、亜鉛を融体で電解槽下部から取り出し、該融体亜鉛を蒸留装置に移液した後、蒸留により高純度亜鉛を得ると共に、蒸留残渣を電解槽に戻すようにした事を特徴とする高純度亜鉛の製造方法。

IPC (3件)：

C25C3/34 , C25C7/00 , C25C7/02

FI (3件)：

C25C3/34 A , C25C7/00 302Z , C25C7/02 308

Fターム (15件)：

4K058AA11 , 4K058BA25 , 4K058BB05 , 4K058CB04 , 4K058CB13 , 4K058CB17 , 4K058CB23 , 4K058DD01 , 4K058DD06 , 4K058DD13 , 4K058DD17 , 4K058EA02 , 4K058EA10 , 4K058FA08 , 4K058FA11

引用特許：

審査官引用 (10件)

シリコンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-250875 出願人：蒲池豊, 吉川公, 山瀬英夫
特開昭53-016304
亜鉛還元による高純度シリコンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-217497 出願人：株式会社住友シチックス尼崎

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