特許
J-GLOBAL ID：200903018429413534
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
振角 正一
, 梁瀬 右司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-265137
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085164
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】処理液で濡れた基板表面をIPAなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマークが発生するのを防止しながら基板表面を良好に乾燥させる。【解決手段】間隙空間SPに窒素ガスを供給しつつ遮断部材9に設けられたリンス液吐出口96aからリンス液(DIW)を吐出させて基板表面Wfに対してリンス処理を施すとともに、間隙空間SPに窒素ガスを供給しつつ遮断部材9に設けられた混合液吐出口97aから混合液(IPA+DIW)を吐出させ基板表面Wfに付着しているリンス液を混合液に置換する。このため、基板表面Wfに付着するリンス液が混合液に置換される際に、混合液の溶存酸素濃度が上昇するのを抑制することができ、基板表面Wfに酸化膜が形成されたり、ウォーターマークが発生するのを確実に防止できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後、前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板表面に供給してから該低表面張力溶剤を前記基板表面から除去することによって前記基板表面を乾燥させる基板処理装置において、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を所定の回転軸回りに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の表面中央部へ前記処理液および前記低表面張力溶剤をそれぞれ吐出する処理液吐出口および溶剤吐出口とを有し、前記基板表面に対向しながら前記基板表面から離間配置された遮断部材と、
前記遮断部材と前記基板表面との間に形成される間隙空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と
を備え、
前記ガス供給手段から不活性ガスを前記間隙空間に供給しつつ前記処理液吐出口から処理液を吐出させて前記湿式処理を実行するとともに、前記ガス供給手段から不活性ガスを前記間隙空間に供給しつつ前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤を吐出させて前記基板表面に付着している処理液を前記低表面張力溶剤に置換させることを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/304
, H01L 21/027
, B08B 3/02
, H01L 21/306
H01L21/304 651B
, H01L21/30 572B
, H01L21/304 651L
, H01L21/304 647A
, H01L21/304 643A
, B08B3/02 B
, H01L21/306 R
3B201AA02
, 3B201AA03
, 3B201AB34
, 3B201BB90
, 3B201BB92
, 3B201BB95
, 3B201CC01
, 3B201CC12
, 3B201CC13
, 5F043BB27
, 5F043DD13
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F046MA05
, 5F046MA10
出願人引用 (2件)
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洗浄方法及びその装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-148606
出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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特開平3-209715号公報(図1)
審査官引用 (7件)
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