電子部品及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031658
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233733
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】疲労特性及び電気特性が良好で、表面の凹凸が少ない誘電体膜を有する電子部品を提供する。【解決手段】Si基板1上に絶縁膜2が形成され、この絶縁膜2上にはTi接合層3が形成され、このTi接合層上に下地電極となるPt電極4が形成され、その上にPZT膜5が形成される。このPZT膜5はシード層5a及びその上に形成されたPZT膜5b本体の2層からなる。さらにこのPZT膜5上にPt電極6が形成され、これらにより強誘電体メモリのキャパシタを構成する。

請求項（抜粋）：

導電性薄膜と、この導電性薄膜上に該導電性薄膜の平均粒子径よりも大きい平均粒子径で接して形成され、前記導電性薄膜と格子定数が整合する材料からなり、前記導電性薄膜を構成する結晶の配向面と同一な面が最も高く配向した誘電体膜とを具備してなることを特徴とする電子部品。

IPC (12件)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/316 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 37/02 , H01L 41/187 , H01L 41/24

FI (8件)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/316 Y , H01L 37/02 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371 , H01L 41/18 101 D , H01L 41/22 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

強誘電体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-152370 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-174123 出願人：セイコーエプソン株式会社
強誘電体薄膜キャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-159966 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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