特許
J-GLOBAL ID：200903018562437683

有機単分子膜の形成方法

発明者：
大野 公隆

大野 公隆 について

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御手洗 郷子

御手洗 郷子 について

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藤岡 一志

藤岡 一志 について

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山中 幹宏

山中 幹宏 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-148869
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340544
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 従来の有機単分子膜の形成方法では、単純な直線あるいはT字型のパターン形成しかできなかった。従って、ナノメータレベルの幅を有し、かつ、ピンホールが無く規則正しく分子が配列した自己組織化有機単分子膜の任意のパターンを作製することのできる有機単分子膜の形成方法が求められていた。【解決手段】 上記問題を解決するための本発明に係る有機単分子膜の形成方法は、表面に保護膜を有する半導体基板に、探針を用いて前記保護層を除去することで所望のパターン形成を行い、前記パターン形成によって露出した半導体基板にチオール分子を吸着させることで、選択的に有機単分子膜をパターン形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
表面に保護膜を有する半導体基板を非酸化雰囲気内に載置し、探針を用いて前記半導体基板表面上の保護層を除去することで所望のパターン形成を行い、前記パターン形成によって露出した半導体基板にチオール分子を吸着させることで、選択的に有機単分子膜をパターン形成することを特徴とする有機単分子膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 51/00 ,  C09K 9/02
FI (2件)：
H01L 29/28 ,  C09K 9/02 Z
引用特許：
審査官引用 (7件)
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