特許
J-GLOBAL ID：200903018599480252
照明及びレチクルの最適化により、印刷ラインの形状歪みを最小化するシステム及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-016872
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261004
出願日： 2002年01月25日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 照明分布及びレチクル・マスク・フィーチャを最適に選択する方法を提供すること。【解決手段】 所望のパターンを生成するように最適化される照明及びマスク・パターンの組み合わせを用いて、半導体上にパターンをリソグラフィにより印刷するシステム及び方法が述べられる。照明及びマスク・パターンの両方を最適化する方法が、印刷される所望のパターンの形状により制約されないマスク・パターンの開発を可能にする。従って本方法は、所望の印刷パターンがリソグラフィ・システムの分解能限界に近づく臨界寸法を有する場合にも、高品質イメージを提供することができる。本方法による結果のマスク・パターンは、印刷される所望のパターンに明瞭には対応しない。こうしたマスクは、破壊的干渉を利用して、イメージの暗領域を画定する位相シフト技術を含み、所望の印刷パターンに合致するように拘束されない。
請求項（抜粋）：
光活性材料を有する半導体ウエハ上に集積回路パターンを印刷する方法であって、少なくとも1つのウエハ・フィーチャ要素を有する所望のウエハ・フィーチャ・パターンを提供するステップと、少なくとも1つの光源パラメータを有する光源と、少なくとも1つの回折フィーチャを有するレチクルと、少なくとも1つのイメージ強度を有するイメージとの間の関係を示すメリット関数を導出するステップと、前記所望のウエハ・フィーチャ・パターンに関連して、前記少なくとも1つのイメージ強度が満足しなければならない少なくとも1つの制約を選択するステップと、前記メリット関数が前記少なくとも1つの制約に従い最適化されるように、前記少なくとも1つの光源パラメータ及び前記少なくとも1つの回折フィーチャの組み合わせを選択するステップと、前記レチクルを前記光源からの照明エネルギにより照射することにより、前記照明エネルギが前記レチクルにより回折され、レンズ口径を通じて投影されて、前記少なくとも1つのイメージ強度を前記ウエハ上に形成するステップと、前記光活性材料を前記少なくとも1つのイメージ強度に露光するステップと、露光された前記光活性材料を現像して、印刷フィーチャを形成するステップとを含み、前記印刷フィーチャが前記制約に従い、前記所望のウエハ・フィーチャ・パターンの前記少なくとも1つのウエハ・フィーチャ要素に合致する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
G03F 7/20 521
, H01L 21/30 516 A
, H01L 21/30 516 C
, H01L 21/30 515 F
, H01L 21/30 528
, H01L 21/30 515 D
, H01L 21/30 502 P
