特許
J-GLOBAL ID：200903018633022714
アルミニウム酸化膜形成方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391358
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244263
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 MTMAをアルミニウムソース物質に使用して単原子蒸着法によりアルミニウム酸化膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板102を準備して前記半導体基板を反応器220に装着する第1ステップと、アルミニウムソースとしてMTMA212を半導体基板上に吸着されるように反応器に供給する第2ステップと、窒素ガスを流入させるか、または真空パージして第1排出ポンプを介して未反応のMTMAまたは反応副産物を排出させる第3ステップと、酸素ソース216を前記半導体基板上に吸着されるように反応器に供給する第4ステップと、窒素ガスを流入させるか、または真空パージして第1排出ポンプを介して未反応の酸素ソース物質または反応副産物を排出させる第5ステップとを含んでなる。
請求項（抜粋）：
半導体素子に用いられる、半導体基板を準備して前記半導体基板を反応器に装着する第1ステップと、アルミニウムソースとしてMTMA(modified trimethylaluminum)を前記半導体基板上に吸着されるように前記反応器に供給する第2ステップと、窒素ガスを流入させるか、または真空パージ(purging)して第1排出ポンプを介して未反応のMTMAまたは反応副産物を排出させる第3ステップと、酸素ソースを前記半導体基板上に吸着されるように前記反応器に供給する第4ステップと、窒素ガスを流入させるか、または真空パージして前記第1排出ポンプを介して未反応の酸素ソース物質または反応副産物を排出させる第5ステップとを含んでなることを特徴とするアルミニウム酸化膜形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, C23C 16/20
, C23C 16/56
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/316 X
, H01L 21/316 P
, C23C 16/20
, C23C 16/56
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 651
