特許
J-GLOBAL ID：200903018788231816

パターン形成方法

発明者：
須田 章一

須田 章一 について

, 
渡部 慶二

渡部 慶二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128725
公開番号（公開出願番号）：特開2002-323775
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 パターン形成方法に関し、これまでのレジスト材料及び露光手段を用いて光学的解像寸法以上に微細なレジストパターンを形成する。【解決手段】 現像液に対してエッチング速度が相対的に大きな下層レジスト層2と、エッチング速度が相対的に小さな上層レジスト層3からなる2層レジスト層を露光し、アンダーカット形状のレジストパターン1を形成したのち、レジストパターン1の幅のスリミングを行う。
請求項（抜粋）：
現像液に対してエッチング速度が相対的に大きな下層レジスト層と、エッチング速度が相対的に小さな上層レジスト層からなる2層レジスト層を露光したのち現像して、アンダーカット形状のレジストパターンを形成したのち、前記アンダーカット形状を保ったままで、前記レジストパターンの幅のスリミングを行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/40 521 ,  G03F 7/095 ,  G11B 5/39 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/40 521 ,  G03F 7/095 ,  G11B 5/39 ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/30 573
Fターム (20件)：
2H025AA02 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025CB28 ,  2H025CB32 ,  2H025DA13 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA27 ,  2H096GA08 ,  2H096HA18 ,  2H096HA23 ,  2H096KA02 ,  5D034BA03 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5F046LA18 ,  5F046NA01 ,  5F046NA15
引用特許：
審査官引用 (6件)
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