特許
J-GLOBAL ID：200903014574383389

レジストパターンの作製方法、薄膜のパターニング方法、及びマイクロデバイスの製造方法

発明者：
上島 聡史

上島 聡史 について

, 
渡辺 久義

渡辺 久義 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-305683
公開番号（公開出願番号）：特開2002-116557
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 微細なパターニング薄膜を形成するためのレジストパターンの作製方法、及びこれを用いた薄膜のパターニング方法を提供する。【解決手段】 基板1上に被ミリング薄膜2を形成した後、ポリメチルグルタルイミド層3及びポジ型のフォトレジスト層4を塗布して形成する。その後、マスク5を介してフォトレジスト層4を露光し現像して、プレレジストパターン6を形成する。次いで、このプレレジストパターン6にアッシング処理を施して狭小化されたレジストパターン7を得る。次いで、レジストパターン7をマスクとして被ミリング薄膜2にミリング処理を施し、パターニング薄膜9を得る。
請求項（抜粋）：
露光現像処理することにより得たプレレジストパターンにアッシング処理を施すことにより、狭小化されたレジストパターンを形成することを特徴とする、レジストパターンの作製方法。
IPC (9件)：
G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 511 ,  G11B 5/31 ,  H01L 21/027 ,  H01L 43/12
FI (12件)：
G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 511 ,  G11B 5/31 M ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/30 576
Fターム (35件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BE01 ,  2H025CB28 ,  2H025CC20 ,  2H025DA40 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H025FA39 ,  2H025FA44 ,  2H096AA25 ,  2H096BA03 ,  2H096CA05 ,  2H096EA02 ,  2H096FA01 ,  2H096FA02 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096HA28 ,  2H096HA30 ,  2H096KA02 ,  2H096KA25 ,  5D033DA01 ,  5D033DA07 ,  5D033DA08 ,  5D033DA22 ,  5F046LA18 ,  5F046MA12 ,  5F046NA01 ,  5F046NA14 ,  5F046NA17 ,  5F046NA18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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