特許
J-GLOBAL ID：200903018839116588

パターン形成方法

発明者：
松丸 省吾

松丸 省吾 について

, 
羽田 英夫

羽田 英夫 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-124584
公開番号（公開出願番号）：特開2008-281690
出願日： 2007年05月09日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法を提供する。【解決手段】支持体1上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成し、第一のレジスト膜2を選択的に露光し、現像して複数のレジストパターン3を形成し、レジストパターン3の表面にそれぞれ金属酸化物膜からなる被覆膜4を形成して複数の被覆パターン5を形成し、該被覆パターン5に対して200°C以上の温度でベーク処理を施し、該被覆パターン5が形成された支持体1上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成し、第二のレジスト膜6を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン5と、第二のレジスト膜6に形成されたレジストパターン7とからなるパターンを支持体上に形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
化学増幅型レジスト組成物を用いてパターンを形成するパターン形成方法であって、 支持体上に、第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターン表面に、金属酸化物膜からなる被覆膜を形成して被覆パターンを形成する工程と、前記被覆パターンに対し、200°C以上の温度でベーク処理を施す工程と、前記被覆パターンが形成された前記支持体上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像してパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/40 511 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/30 570
Fターム (12件)：
2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA05 ,  2H096EA12 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F046AA13 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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