特許
J-GLOBAL ID：200903055876641580

パターン形成方法及びパターン形成材料

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-248236
公開番号（公開出願番号）：特開2006-065035
出願日： 2004年08月27日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【解決手段】 現像後のフォトレジストパターン上に、水溶性のチタンを含有する膜を形成し、チタンを含有する材料をフォトレジストパターン表面に付着させ、フォトレジスト膜以外のチタンを含有する材料を除くことによってフォトレジストパターンの表面だけをチタン保護することを特徴とするパターン形成方法。【効果】 本発明によれば、ポジネガ反転を伴うことなく、またドライエッチングの回数を増やすことなく、高いアスペクトエッチングパターンを形成できる。また、本発明のレジストパターンハードマスクプロセスは、単層レジストとドライエッチングの回数は同じである。単層レジストプロセスにレジスト現像後の保護膜材料の塗布、ベーク、純水による剥離が追加されるが、特別な装置は必要なく、従来のトラックシステムをそのまま用いることができる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
現像後のフォトレジストパターン上に水溶性チタン化合物を含有するパターン形成材料を塗布して、チタン化合物含有膜をフォトレジストパターン表面に付着させ、フォトレジストパターン以外の部分に存在する上記パターン形成材料を除くことによってフォトレジストパターンの表面だけをチタン化合物で保護することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F7/40 521 ,  H01L21/30 570
Fターム (9件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA02 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096KA21 ,  2H096LA30 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (11件)
全件表示
審査官引用 (2件)
  • ポジ型感光性組成物
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-294822   出願人：株式会社シンク・ラボラトリー
  • 特開昭62-297837

前のページに戻る

TOP

BOTTOM