特許
J-GLOBAL ID：200903006094067212
半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターンを有する半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-276470
公開番号（公開出願番号）：特開2006-091888
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】 半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターンを有する半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成されたレジストパターンと、レジストパターン上に形成されている有機-無機混成シロキサンネットワーク膜と、を含むマスクパターンである。シロキサンネットワーク膜は、テトラアルコキシシラン架橋剤とトリアルコキシ-モノアルキルシランカップリング剤との反応産物からなる。シロキサンネットワーク膜を形成するために、まず、シロキサンオリゴマーをレジストパターンの表面にコーティングする。その後、レジストパターンの表面でシロキサンオリゴマーのゾル-ゲル反応を誘導する。シロキサンネットワーク膜を形成した後、シロキサンネットワーク膜の周囲に残留する未反応シロキサンオリゴマーを、純水で除去する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたレジストパターンと、
前記レジストパターン上に形成されて有機-無機混成シロキサンネットワーク膜と、を備えることを特徴とする半導体素子製造用のマスクパターン。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/40
, H01L 21/027
G03F1/08 D
, G03F7/40 511
, H01L21/30 502P
2H095BB16
, 2H095BC19
, 2H095BC20
, 2H095BC24
, 2H096AA25
, 2H096BA10
, 2H096BA11
, 2H096EA03
, 2H096EA04
, 2H096HA01
, 2H096HA02
, 2H096HA05
, 2H096HA07
, 2H096HA30
, 2H096JA04
出願人引用 (11件)
-
米国特許第6,110,637号明細書
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米国特許出願公開第2004/0009436 A1号明細書
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パタン形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-042826
出願人：株式会社日立製作所
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審査官引用 (9件)
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