薄層分析方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-319457
公開番号（公開出願番号）：特開2006-132975
出願日： 2004年11月02日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】薄層の積層構造を有する分析試料中の薄層測定層の元素組成を決定することをすることができる方法および装置を提供する。【解決手段】本発明は、薄層の積層構造を有する分析試料に斜めエッチングまたは斜め研磨を行なって、測定層を露出させる工程;電子線照射によって、露出させた測定層から特性X線を励起させる工程;測定層からの特性X線のみを検出する工程;および検出した特性X線から元素組成を決定する工程からなる薄層の分析方法を提供する。本発明はまた、照射手段;試料保持手段;入射X線調整手段;および、X線検出手段を備える特性X線分析装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄層の積層構造を有する分析試料に加工処理を行なって、測定層をその層界面に対して斜めに露出させる工程; 電子線照射によって、露出させた測定層から特性X線を励起させる工程; 測定層からの特性X線のみを検出する工程;および検出した特性X線から元素組成を決定する工程からなる薄層の分析方法。

IPC (1件)：

G01N 23/225

FI (1件)：

G01N23/225

Fターム (20件)：

2G001AA03 , 2G001AA05 , 2G001BA05 , 2G001CA01 , 2G001EA01 , 2G001EA03 , 2G001FA02 , 2G001GA01 , 2G001GA13 , 2G001JA07 , 2G001KA01 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001PA15 , 2G001QA01 , 2G001QA10 , 2G001RA01 , 2G001RA08 , 2G001RA20 , 2G001SA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

斜出射電子線プローブマイクロX線分析による異物の分析方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-022205 出願人：科学技術振興事業団
斜出射X線分析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-091277 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

審査官引用 (4件)

表面分析用試料及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-029027 出願人：日本電気株式会社
特開平3-251760
特開平3-251760

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