特許
J-GLOBAL ID：200903062972982467
斜出射電子線プローブマイクロX線分析による異物の分析方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 晴視
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-022205
公開番号（公開出願番号）：特開2001-208708
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【目的】 斜出射EPMA法におけるバックグラウンド特性X線および不純物粒子の特性X線強度の改善【構成】 被分析試料表面に対して電子線プローブを照射し、前記電子線により前記被分析試料表面に存在する微粒子から誘導放出される特性X線の前記表面からの角度(斜出斜角度)が2°以下となるように照射し、X線検出器の前記特性X線の取り入れ口の前に0.5mm以下の幅の前記表面に平行に形成されたスリットまたは直径0.5mm以下のアパーチャーを有する部材を配置して、前記スリットまたはアパーチャーを通過した特性X線を前記X線検出器により観察して前記表面上の微粒子の存在および存在する微粒子の元素分析をすることを特徴とする斜出射電子線プローブマイクロX線分析方法。
請求項（抜粋）：
被分析試料表面に対して電子線プローブを、前記電子線により前記被分析試料表面に存在する微粒子から誘導放出される特性X線の前記表面からの角度(斜出斜角度)が2°以下となるように照射し、X線検出器の前記特性X線の取り入れ口の前に0.5mm以下の幅の前記表面に平行に形成されたスリットまたは直径0.5mm以下のアパーチャーを有する部材を配置して、前記スリットまたはアパーチャーを通過した特性X線を前記X線検出器により観察して前記表面上の微粒子の存在および存在する微粒子の元素分析をすることを特徴とする斜出射電子線プローブマイクロX線分析方法。
Fターム (7件)：
2G001AA03
, 2G001BA05
, 2G001CA01
, 2G001DA02
, 2G001GA01
, 2G001GA13
, 2G001HA03
