特許
J-GLOBAL ID：200903018911621110
半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-159374
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077693
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体薄膜を損傷することなく基板から剥離する方法と、基板を汚損することなく保持する方法を提供する。【解決手段】 基板1上に形成された半導体薄膜2を、曲面を有する支持部材5の該曲面で支持しつつ、該支持部材5を回動することにより、前記基板1から前記半導体薄膜2を剥離することを特徴とする半導体薄膜の製造方法を提供する。また、基板上に形成された半導体薄膜を該基板から剥離する工程を有する半導体薄膜の製造方法において、前記基板1を基板支持部材上に接着剤を介することなく固定した後に前記剥離する工程を行なうことを特徴とする半導体薄膜の製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された半導体薄膜を、曲面を有する薄膜支持部材の該曲面で支持しつつ、該薄膜支持部材を回動することにより、前記基板から前記半導体薄膜を剥離することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
引用特許：
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