強誘電体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193080
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041477
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】良好な素子特性を有し、容易に製造可能な強誘電体メモリを提供することである。【解決手段】 Si基板1の(111)面上にn型ZnO層2が形成される。n型ZnO層2の表面には所定間隔を隔ててp+ 層3,4が形成され、p+ 層3,4間におけるn型ZnO層2の領域上にLiTaO3 からなる強誘電体層5が形成される。p+ 層3,4上にはそれぞれソース電極6およびドレイン電極7が形成され、強誘電体層5上にはゲート電極8が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体層上に所定間隔を隔てて第1および第2の電極が形成され、前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記半導体層の領域上に酸化物からなる強誘電体層が形成され、前記強誘電体層上に第3の電極が形成され、前記半導体層は前記強誘電体層に比べて高い還元性を有することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 , G11C 11/22 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , G11C 11/22 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-119770 出願人：富士通株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-075234 出願人：大門正機, 鶴見敬章
酸化物強誘電薄膜の製造方法および酸化物強誘電材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-200061 出願人：株式会社ニコン

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