特許
J-GLOBAL ID：200903019000620201

レジストパターン形成方法

発明者：
三本木 省次

三本木 省次 について

, 
井上 壮一

井上 壮一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057044
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255737
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 孤立パターン及び周期パターンの端のパターンを周期パターンの内部のパターンと同程度の解像度及び焦点深度を持って形成すること。【構成】 微細な孤立パターンを形成するためのレジストパターン形成方法において、被露光基板上11にポジ型の第1のレジスト12を形成する工程と、レベンソン型位相シフトマスク13を用いて第1のレジスト12に周期パターンを転写し、第1のレジスト12に現像液に対する不溶部12bと可溶部12a,12cを形成する工程と、第1のレジスト12上にポジ型の第2のレジスト15を形成する工程と、孤立開口を有する第2のマスク16を用いて第2レジスト15にパターンを転写し、第2レジスト15に現像液に対する不溶部15bと可溶部15aを形成する工程と、第1及び第2のレジスト12,15に対し現像液に対する可溶部12a,15aを現像する工程とを含むこと。
請求項（抜粋）：
被露光基板上に第1のレジスト層を形成する工程と、第1のレジスト層に第1のマスクを用いてパターンを転写し、第1のレジスト層に現像液に対する不溶部と可溶部を形成する工程と、第1のレジスト層上に第2のレジスト層を形成する工程と、第2のレジスト層に第2のマスクを用いてパターンを転写し、第2のレジスト層に現像液に対する不溶部と可溶部を形成する工程と、第1及び第2のレジスト層に対し現像液に対する可溶部を現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511
FI (3件)：
H01L 21/30 502 C ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 573
引用特許：
審査官引用 (18件)
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