特許
J-GLOBAL ID：200903019024767548
非揮発性半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182897
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307745
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 フラッシュメモリが内蔵された複合チップの実現に際して、電圧及び温度の変化に拘わらずに安定した特性を有する抵抗とキャパシタを形成し得る非揮発性半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 非揮発性メモリトランジスタのフローティングゲート106aを形成する際、該ゲート形成用のポリシリコンを用いて抵抗ライン(抵抗)106aとキャパシタの第1電極端子106cを形成し、非揮発性メモリトランジスタのコントロールゲート118aを形成する際、該ゲート形成用のポリシリコンを用いてキャパシタの第2電極端子118cを形成する。
請求項（抜粋）：
メモリセル形成部と周辺回路部が定義された半導体基板と、この基板上のメモリセル形成部に形成され、電子を貯蔵するフローティングゲートとこれを制御するコントロールゲートがアイソレーション絶縁膜とトンネリング絶縁膜を介して積層される構造を有する非揮発性メモリトランジスタと、前記基板上の周辺回路部所定部分に形成され、前記フローティングゲートと同じ材質の抵抗ラインと、この抵抗ラインと所定間隔離隔されて前記基板上の周辺回路部所定部分に形成され、前記フローティングゲートと同じ材質の第1電極端子と前記コントロールゲートと同じ材質の第2電極端子が誘電体膜を介して積層される構造を有するキャパシタとからなることを特徴とする非揮発性半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
