半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-235031
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073959
出願日： 2006年08月31日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な界面を得る。【解決手段】水素ラジカルや水素イオンなどの活性化した水素を、プラズマ法または触媒法によって形成し、その活性化した水素によってゲート絶縁膜中の炭素の一重結合を含む汚染物をガス化して除去する。また、酸素ラジカルや酸素イオン、オゾンなどの活性化した酸素をプラズマ法または紫外線照射法によって形成し、その活性化した酸素によってゲート絶縁膜中の炭素を含む汚染物をガス化して除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有する半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜の成膜工程において、少なくとも有機シラン系ソースと活性化した酸素と活性化した水素とを用い、前記ゲート絶縁膜の成膜工程において導入される水素の量は前記有機シラン系ソースの量の0.01〜0.5倍であることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (12件)：

H01L 21/205 , H01L 21/306 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/304 , G02F 1/136

FI (12件)：

H01L21/205 , H01L21/302 102 , H01L29/78 617V , H01L29/78 627G , H01L29/78 617U , H01L29/58 G , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/304 645C , H01L21/304 645D , H01L21/304 648G , G02F1/1368

Fターム (112件)：

2H092JA25 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092KA18 , 2H092MA18 , 2H092MA22 , 2H092NA21 , 2H092NA29 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F004AA14 , 5F004BA04 , 5F004BA07 , 5F004BB11 , 5F004BC07 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA05 , 5F004DA00 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004EB02 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045HA13 , 5F045HA16 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP57 , 5F083ER02 , 5F083ER14 , 5F083ER22 , 5F083GA30 , 5F083PR33 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BH16 , 5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110AA15 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB08 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD25 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE34 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HM14 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN39 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ08 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (5件)

酸化ケイ素薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-041758 出願人：株式会社ジーティシー
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-094465 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-031824 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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