特許

J-GLOBAL ID：200903019079079012

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 谷島 司
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社 ,  宮城沖電気株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-264582
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085138
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】従来の低消費電力のSOIデバイスと、高耐圧のトランジスタとを同一のSOI基板上に形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板層と、シリコン基板層の上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された半導体層と、を含むSOI基板を用意し、SOI基板のシリコン基板層内に自身の動作活性領域を有する少なくとも1つの第1のトランジスタと、SOI基板の半導体層内に自身の動作活性領域を有する少なくとも1つの第2のトランジスタを形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シリコン基板層と、前記シリコン基板層の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体層と、を含むSOI基板に形成された半導体装置であって、 前記シリコン基板層内に自身の動作活性領域を有する少なくとも1つの第1のトランジスタと、 前記半導体層内に自身の動作活性領域を有する少なくとも1つの第2のトランジスタと、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/08

FI (6件)：

H01L27/08 102C ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 613Z ,  H01L21/76 D ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 331E

Fターム (57件)：

5F032AA06 ,  5F032AA07 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032BA03 ,  5F032BA06 ,  5F032CA17 ,  5F032CA24 ,  5F032CA25 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F048AA05 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BC07 ,  5F048BC18 ,  5F048BC19 ,  5F048BG06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD21 ,  5F110DD24 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-410657   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-005996   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-174045   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-265408   出願人：セイコーエプソン株式会社