不揮発性半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-319914
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158053
出願日： 2002年11月01日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】本発明は、ワード線毎に最適なプログラム電圧を設定可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、縦横に配列されるメモリセルと、メモリセルの各列に接続される複数のワード線と、複数のワード線の選択されたワード線に接続される全メモリセルのうち一部のメモリセルから読み出したデータに基づいて選択されたワード線に対するプログラム電圧を決定する制御回路を含むことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

縦横に配列されるメモリセルと、該メモリセルの各列に接続される複数のワード線と、該複数のワード線の選択されたワード線に接続される全メモリセルのうち一部のメモリセルから読み出したデータに基づいて該選択されたワード線に対するプログラム電圧を決定する制御回路を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (8件)：

G11C16/06 , G11C16/02 , G11C16/04 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (6件)：

G11C17/00 633D , H01L27/10 481 , G11C17/00 611E , G11C17/00 624 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (17件)：

5B025AD03 , 5B025AD04 , 5B025AD07 , 5B025AE08 , 5B025AF01 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA10 , 5F101BD33 , 5F101BD34 , 5F101BD36 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (4件)

一括消去型不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-243118 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-258055 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-238664 出願人：株式会社日立製作所

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