特許
J-GLOBAL ID：200903019093885927
メモリカード装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 宜喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342233
公開番号（公開出願番号）：特開2002-149479
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 フラッシュ型EEPROMを用いた大容量メモリカード装置において、高速書込以外では省電力化を図ること。【解決手段】 ホスト装置から入力される命令(読出、書込、消去)、データ格納アドレス、データは、ホストインタフェース101を介してコントローラ102及びバッファ制御回路103に入力される。バッファ制御回路103は、コントローラ102の制御信号に基づき、データバッファ104〜106を制御し、データを入出力する。フラッシュ制御回路107はフラッシュ型EEPROM108〜110に対してデータの書き込み又は読み出しを行う。1つのフラッシュ型EEPROMには、消去単位毎に独立にデータを書き込むことにより、データ待避処理時間を短くする。
請求項（抜粋）：
外部のホスト装置と制御信号及びデータを送受信するホストインタフェース手段と、消去単位でデータを電気的に消去し、書込単位でデータを記録し、不揮発性のメモリセルを有するP個のフラッシュ型EEPROMと、前記ホストインタフェース手段を介して入力される制御信号及びアドレスに応じて、前記フラッシュ型EEPROMの所定のデータ領域における読出動作、書込動作、及び消去動作を制御するフラッシュ制御手段と、前記ホストインタフェース手段を介して前記ホスト装置とデータを入出力し、前記ホスト装置から入力されるデータ、又は前記フラッシュ型EEPROMから読み出されたデータを一時的に記憶するQ個(QはPの整数倍)のデータバッファと、を備えたメモリカード装置であって、前記データバッファは、前記フラッシュ型EEPROMに対する書込単位としての最小単位メモリ領域をN個有し、前記N個の最小単位メモリ領域の総容量が、前記フラッシュ型EEPROMのデータ消去単位に等しいことを特徴とするメモリカード装置。
IPC (5件)：
G06F 12/00 560
, G06F 12/00 597
, G06F 12/06 515
, G06K 19/07
, G11C 16/02
G06F 12/00 560 B
, G06F 12/00 597 U
, G06F 12/06 515 H
, G06K 19/00 N
, G11C 17/00 601 T
, G11C 17/00 601 E
5B025AD00
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AD08
, 5B025AE06
, 5B035AA05
, 5B035BB09
, 5B035CA07
, 5B035CA29
, 5B060CB01
, 5B060MM01
