特許
J-GLOBAL ID：200903019221271155
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-352492
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186422
出願日： 1995年12月30日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】本発明は、半導体装置の実装対象となる配線基板に対する接続の信頼性を向上し得る半導体装置を提案しようとするものである。【解決手段】回路基板の一面に電子部品の各電極に対応させて複数の第1の電極が設けられると共に、回路基板の他面に各第1の電極のうちの対応するものとそれぞれ一面及び他面間を介して導通接続された複数の第2の電極が設けられ、かつ回路基板の一面に電子部品が実装されてなる半導体装置において、一面に設けられた各第1の電極の膜厚よりも、他面に設けられた各第2の電極の膜厚を厚くするようにするようにしたことにより、半導体装置の実装対象となる配線基板に対する接続の信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
回路基板の一面に電子部品の各電極に対応させて複数の第1の電極が設けられると共に、上記回路基板の他面に各上記第1の電極のうちの対応するものとそれぞれ上記一面及び上記他面間を介して導通接続された複数の第2の電極が設けられ、かつ上記回路基板の上記一面に上記電子部品が実装されてなる半導体装置において、上記一面に設けられた各上記第1の電極の膜厚よりも、上記他面に設けられた各上記第2の電極の膜厚を厚くしたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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