特許
J-GLOBAL ID：200903019263251634

SiC系物質の処理方法

発明者：
荻野 正彦

荻野 正彦 について

, 
松山 明美

松山 明美 について


出願人/特許権者：
DOWAホールディングス株式会社

DOWAホールディングス株式会社 について

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株式会社日本ピージーエム

株式会社日本ピージーエム について


代理人 (2件)： 小松 高 ,  和田 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-044661
公開番号（公開出願番号）：特開2007-224336
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】酸化銅から金属銅を回収する乾式プロセスを利用してSiC系物質の溶融処理およびSiC系物質に含有される金または白金族元素の回収処理を行う方法を提供する。【解決手段】 酸化銅を含む銅含有物質を、フラックス成分、還元剤とともに溶融して溶融スラグとし、その溶融スラグ中の還元反応で生じた金属銅をスラグとの比重差を利用して分離・回収する乾式プロセスにおいて、SiC系物質を少なくともフラックス成分と混合した状態で溶融スラグ中に投入し、SiC成分を還元剤として消費させるSiC系物質の処理方法。投入するSiC系物質の量を、溶融スラグ中に存在する酸化銅および投入する酸化銅の総量に対し、SiC/Cu2Oの質量比が0.01〜0.2となるようにコントロールすることが効果的である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸化銅を含む銅含有物質を、フラックス成分、還元剤とともに溶融して溶融スラグとし、その溶融スラグ中の還元反応で生じた金属銅をスラグとの比重差を利用して分離・回収する乾式プロセスにおいて、SiC系物質を少なくともフラックス成分と混合した状態で溶融スラグ中に投入し、SiC成分を還元剤として消費させるSiC系物質の処理方法。
IPC (2件)：
C22B 11/02 ,  C22B 7/00
FI (2件)：
C22B11/02 ,  C22B7/00 B
Fターム (10件)：
4K001AA04 ,  4K001AA41 ,  4K001BA22 ,  4K001DA01 ,  4K001GA13 ,  4K001HA12 ,  4K001KA01 ,  4K001KA02 ,  4K001KA05 ,  4K001KA06
引用特許：
出願人引用 (10件)
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