平面研磨方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：正林真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288479
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100594
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ研磨においてウエハ周辺部と、ウエハ中央部の荷重分布を解消して、ウエハ周辺部の平坦度を向上させること、並びに、両面ポリッシュ装置において研磨クロスの長寿命化を図る。【解決手段】両面ポリッシュ装置のキャリア17のキャリアギア部17bの厚みをキャリアウエハ保持部17aの厚みよりも薄くすることによって、半導体ウエハ周辺部の平坦度を向上させると同時に、両面ポリッシュ装置において研磨クロスの長寿命化を図ることを実現した。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハのポリッシング加工を行うポリッシュ装置のキャリアのキャリアギア部の厚みを調整することによって、半導体ウエハ周辺部の平坦度を調整する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/304 621 , B24B 37/04

FI (5件)：

H01L 21/304 622 G , H01L 21/304 622 S , H01L 21/304 621 A , B24B 37/04 C , B24B 37/04 F

Fターム (7件)：

3C058AA09 , 3C058BA02 , 3C058BA07 , 3C058BC03 , 3C058DA06 , 3C058DA09 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体ウェーハの両面研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-184733 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
特開昭52-118696
両面ポリッシュ装置によるウェハ研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-357148 出願人：住友電気工業株式会社

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