特許
J-GLOBAL ID：200903019419806267
半導体装置の金属配線層形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-349059
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199974
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の金属配線層形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜を蝕刻してコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを埋め立てる金属プラグを形成し、前記層間絶縁膜の上部表面を蝕刻して前記金属プラグの両側面を露出させるリセス領域を形成し、前記リセス領域の形成された基板の全面に金属層を形成する。このようにして、埋込特性に優れた金属膜でコンタクトホールを埋め立て、抵抗の低い物質で配線層を形成することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜を蝕刻してコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールを埋め立てる金属プラグを形成する段階と、前記層間絶縁膜の上部表面を蝕刻して前記金属プラグの両側面の一部を露出させるリセス領域を形成する段階と、前記リセス領域の形成された基板の全面に金属層を形成する段階とを含み、前記金属プラグと前記金属層とで配線層を形成することを特徴とする半導体装置の金属配線層形成方法。
引用特許：
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