特許
J-GLOBAL ID：200903019491486340
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-350083
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236480
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 浅接合の拡散層を低抵抗化するためのシリサイド化が酸素のノックオン現象によって阻害されることを防止するためにイオン注入の保護膜として使うシリコン窒化膜を素子構造にも利用し、製造コストの低減を図る。【解決手段】 基板部102、103及びゲートポリシリコン106へのイオン注入の保護膜に使ったシリコン窒化膜111を、ゲートポリシリコン106のサイドウォール111に加工することにより、シリコン酸化膜によるサイドウォールの形成工程を省略する。【効果】 ゲートポリシリコン106にボロンを拡散させた場合、窒素のノックオンによってボロンの拡散が抑制され、ボロンのゲート酸化膜105の突き抜けが防止される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上にパターン形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にパターン形成されたゲート電極と、少なくとも前記ゲート電極の両側の前記半導体基板内に形成された、不純物及び窒素を含む不純物拡散層と、前記ゲート電極の側壁に形成された、窒化膜を含むサイドウォール絶縁膜と、少なくとも前記不純物拡散層上に形成された金属シリサイド膜とを含む半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/265
, H01L 29/78
H01L 21/28 301 S
, H01L 21/265 K
, H01L 21/265 H
, H01L 29/78 301 S
