半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-247031
公開番号（公開出願番号）：特開2008-071818
出願日： 2006年09月12日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】二つの素子領域間に介在するシールリングを通じたノイズ伝搬を抑制する。【解決手段】半導体装置100は、ロジック部およびアナログ部を有する。半導体装置100は、シリコン基板101、層間絶縁膜173、層間絶縁膜173中に埋設された導電膜により構成されロジック部151の外周を取り囲むシールリング105、およびシリコン基板101に設けられたウェルにより構成されるとともにロジック部からシールリング105を経由してアナログ部に至る経路の導通を遮断するNウェルガードリング161を有する。Nウェルガードリング161は、シールリング領域106とロジック部またはアナログ部との間に配置される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第一素子領域および第二素子領域を有する半導体装置であって、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に埋設された導電膜により構成され、前記第一素子領域の外周を取り囲む環状のシールリングと、前記半導体基板に設けられたウェルにより構成されるとともに、前記第一素子領域から前記シールリングを経由して前記第二素子領域に至る経路の導通を遮断する遮断領域と、を有し、前記第二素子領域が、前記シールリングの内側または外側に配置され、前記遮断領域が、前記シールリングの形成領域と前記第一素子領域または前記第二素子領域との間に配置された、半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/08

FI (4件)：

H01L27/04 H , H01L21/88 S , H01L27/08 321B , H01L27/08 331B

Fターム (48件)：

5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033VV00 , 5F033VV06 , 5F033XX23 , 5F038BH09 , 5F038BH10 , 5F038BH19 , 5F038CA05 , 5F038CA07 , 5F038CA09 , 5F038CD20 , 5F038DF12 , 5F038EZ11 , 5F038EZ20 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG13 , 5F048BH05 , 5F048BH06

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-332349 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-329371 出願人：松下電器産業株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-152181 出願人：エヌイーシーマイクロシステム株式会社

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審査官引用 (4件)

半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-329371 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-332349 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-152181 出願人：エヌイーシーマイクロシステム株式会社

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