特許
J-GLOBAL ID:200903019708644780

大領域FED装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山崎 行造 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-533887
公開番号(公開出願番号):特表2002-505503
出願日: 1999年02月26日
公開日(公表日): 2002年02月19日
要約:
【要約】広領域基板と、この基板の実質的な部分に亘って配置されるように、この基板上に配置されたエミッター電極構造と、微小点の複数のグループと、基板上に配置された絶縁層であり、それを貫通する開口を有し、その開口は所定の範囲内の径を有し、且つ各々の開口は微小点の少なくとも一部を包囲する絶縁層と、 この絶縁層上に配置された抽出構造であり、それを貫通する開口を有し、その開口は所定の範囲内の径を有し、且つ各々の開口は微小点の少なくとも一部を包囲する抽出構造と、この抽出構造の上に離間して配置され、光の所定波長を透過させるフェースプレートと、このフェースプレートの面上に抽出構造へ向かって配置されたインジウム錫酸化(indium tin oxide; ITO)層と、このITO層上に配置されたマトリックス部材であり、ピクセル領域として働くITO面の領域を規定して、そのピクセル領域を微小点のグループの微小点に整合させるマトリックス部材と、ITO上で複数のピクセル領域に配置された陰極発光材料。
請求項(抜粋):
既定のレベルの真空圧下において密閉されている大面積電界放出装置(FED)であって、 大面積基板と、 該基板の上に配置されたエミッタ電極構造であって、前記基板の実質的部分にわたって配置されているエミッタ電極構造と、 複数のグループのマイクロポイントであって、各グループのマイクロポイントが既定数のマイクロポイントを持ち、さらに、各グループのマイクロポイントが前記エミッタ電極構造上の離散位置に配置されている複数のグループのマイクロポイントと、 前記基板の上方に配置された絶縁層であって、該絶縁層を貫通し既定の範囲内の直径を持つ開口を持ち、該開口がマイクロポイントの少なくとも一部を囲む絶縁層と、 前記絶縁層上に配置された抽出構造であって、該抽出構造を貫通し既定の範囲内の直径を持つ開口を持ち、該開口がマイクロポイントの少なくとも一部を囲み、さらに、該抽出構造内の前記開口が前記絶縁層内の前記開口と整列する抽出構造と、 該抽出構造の上方に配置され、該抽出構造から離隔されていて、光の既定の波長を透過させるフェースプレートと、 前記抽出構造に向かって前記フェースプレートの表面上に配置された第1導電層と、 該第1導電層の上に配置されたマトリクス部材であって、ピクセル領域として機能する前記第1導電層表面の領域を画定し、該ピクセル領域が、マイクロポイントのグループのマイクロポイントと整列する、マトリクス部材と、 複数のピクセル領域内の前記第1導電層上に配置されたカソード発光材料であって、特定のピクセル領域にあるカソード発光材料が、該ピクセル領域に関連するマイクロポイントから放出された電子を受け取るように整列するカソード発光材料と、 既定の位置にある前記フェースプレートと前記抽出構造との間に配置された複数のスペーサであって、該FED内の前記真空圧によって引き起こされ、該スペーサが遭遇する応力に対応する高さを持つ複数のスペーサとを備える装置。
IPC (3件):
H01J 31/12 ,  H01J 9/24 ,  H01J 29/87
FI (3件):
H01J 31/12 C ,  H01J 9/24 A ,  H01J 29/87
Fターム (9件):
5C012AA05 ,  5C012BB02 ,  5C012BB07 ,  5C032CD06 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12 ,  5C036EG50
引用特許:
審査官引用 (9件)
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