特許
J-GLOBAL ID：200903019782205151
圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-301995
公開番号（公開出願番号）：特開2006-111942
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置を提供する。【解決手段】 真空チャンバー内に、成膜を行うための成膜室と基材を搬送するための基材搬送室とを有し、成膜室側には、圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備えたものであり、成膜室と基材搬送室との間は、成膜用ドラムの被成膜領域部の周辺を除き、前記成膜用ドラムと仕切り部により物理的に仕切られ、前記2室が、圧力的に仕切られているものであり、また、基材搬送室の成膜室側の成膜用ドラム近傍、前記被膜領域部における基板搬送方向の上流側、下流側の位置に、成膜用ドラムと物理的な仕切りとで、圧力的に仕切られた状態に形成され、真空引きする真空室を設けている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、真空チャンバー内に、成膜を行うための成膜室と基材を搬送するための基材搬送室とを有し、前記基材搬送室側には、成膜用ドラムを有し、且つ、該成膜用ドラムの一部を被成膜領域部として成膜室側に向け、突出させて設置している、基材を搬送するための基材搬送部を配し、前記成膜室側には、圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、基材を前記成膜用ドラムの周囲に沿わせて搬送し、沿わせた状態で成膜するもので、前記成膜室と前記基材搬送室との間は、前記成膜用ドラムの前記被成膜領域部の周辺を除き、前記成膜用ドラムと仕切り部により物理的に仕切られ、前記成膜室と前記基材搬送室とが、圧力的に仕切られているものであり、また、前記イオンプレーティング成膜部は、成膜室の側面側、前記圧力勾配型プラズマガンの出口部に向けて突出させた前記真空チャンバーの短管部を配し、該短管部を包囲し、前記圧力勾配型プラズマガンからのプラズマビームの横断面を収縮させる収束コイルを備え、前記プラズマビームを成膜室内に配置した蒸着材料の表面に導き、成膜用ドラムの被成膜領域部において基材の一面上に薄膜を形成するものであり、前記短管部内に、プラズマビームの周囲を取り囲み、電気的に浮遊状態の電子を帰還させる電子帰還電極を設け、且つ、基材搬送室の成膜室側の成膜用ドラム近傍、前記被膜領域部における基板搬送方向の上流側、下流側の位置に、成膜用ドラムと物理的な仕切りとで、圧力的に仕切られた状態に形成され、真空引きされる真空室を設けていることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
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真空成膜装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-078958
出願人：中外炉工業株式会社, 大日本印刷株式会社
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特公平6-21349号公報 しかし、ここに記載のものは、電気的絶縁性物質を成膜する場合、上記のチャージアップの進行に起因する問題や、成膜された基材への帯電の問題を考慮した構造ではなく、充分安定的に成膜することができず、問題となっていた。
審査官引用 (8件)
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