特許
J-GLOBAL ID：200903083172196479
ITO膜形成方法およびSiOx膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-181258
公開番号（公開出願番号）：特開2000-017430
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：
【要約】【課題】 真空成膜装置を用いてITOまたはSiOxの薄膜を形成する際、プラズマ放電を連続して安定させ、被成膜体に安定した薄膜の形成を行なうこと。【解決手段】 真空成膜装置10のプラズマガン11により真空チャンバ12内に向けてプラズマビーム22を生成する。このプラズマガン11の出口部に向けて短管部12Aが突出し、この短管部12Aを包囲するように収束コイル18が設けられている。プラズマビーム22によりるつぼ19内のITOまたはSiOxからなる成膜材料20が蒸発し、蒸発した成膜材料20により基板13上にITOまたはSiOxの薄膜が形成される。プラズマガン11の出口部にこのプラズマビーム22の周囲を取囲む電子帰還電極2が設けられ、プラズマビーム22から生じる反射電子流3は電子帰還電極2へ帰還する。
請求項（抜粋）：
内部にITOを収納したるつぼと、被成膜体が配置されるとともに、接地された真空チャンバと、プラズマビームを生成したこのプラズマビームを真空チャンバ内に送るプラズマガンと、プラズマガンにより生成したプラズマビームを磁場により軌道および/あるいは形状を制御させてるつぼ内のITOに照射させ、このITOを被成膜体に蒸着させる収束コイルと、真空チャンバ内のうちプラズマガン側にプラズマビーム外周を取囲んで設けられ、ITOに照射されたプラズマビームから生じる反射電子流が帰還する電子帰還電極とを備えた真空成膜装置を用いたITO膜形成方法において、るつぼ内にITOを収納する工程と、プラズマガンを作動させてプラズマビームを生成し、このプラズマビームをるつぼ内のITOに照射する工程と、プラズマビームがITOに照射した際生じる反射電子流を帰還電極に戻すとともに、るつぼから蒸発するITOをイオン化して被成膜体に蒸着させてITO膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とするITO膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/32 B
, C23C 14/08 D
4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029AA25
, 4K029BA45
, 4K029BA46
, 4K029BA47
, 4K029BB02
, 4K029BD02
, 4K029CA03
, 4K029DD03
, 4K029DE02
, 4K029EA06
, 4K029JA10
, 4K029KA03
