強誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに強誘電体メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-394958
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198496
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】優れた特性を有するシード層の形成を含む強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリ装置を提供する。【解決手段】第1電極20、強誘電体膜30および第2電極22が積層された強誘電体キャパシタの製造方法であって、少なくとも強誘電体膜の材料が堆積される領域に、あらかじめ機能性薄膜(自己組織化膜32a)が形成される工程を含む。機能性薄膜の形成工程は、前記領域に、化学吸着により分子を自己集積的に供給する成膜工程を有する。機能性薄膜32aは、強誘電体膜30aの成膜においてシード層として機能する。

請求項（抜粋）：

第1電極、強誘電体膜および第2電極が積層された強誘電体キャパシタの製造方法であって、少なくとも前記強誘電体膜の材料が堆積される領域に、あらかじめ機能性薄膜が形成される工程を含み、前記機能性薄膜の形成工程は、前記領域に、化学吸着により物質を自己集積的に堆積する成膜工程を有する、強誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/316 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/316 B , H01L 27/10 444 C , H01L 27/10 444 A , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 444 Z , H01L 29/78 371

Fターム (25件)：

5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AD33 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BE10 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF11 , 5F058BF12 , 5F058BF41 , 5F058BF46 , 5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083FR07 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083PR21 , 5F101BA62 , 5F101BD02 , 5F101BD20

引用特許：

審査官引用 (7件)

強誘電体膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-333827 出願人：シャープ株式会社
強誘電性キャパシタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-061414 出願人：三星電子株式会社
Bi層状強誘電体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-281531 出願人：日本電気株式会社, シンメトリクスコーポレーション

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