半導体発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-014664
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182069
出願日： 2007年01月25日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。【解決手段】III-V族半導体からなり、<1-100>方向への傾斜角度が0°以上45°以下であってかつ<11-20>方向への傾斜角度が0°以上10°以下である{0001}n型半導体基板1と、n型半導体基板上に設けられたIII-V族半導体からなるn型層2と、n型層上に設けられたIII-V族半導体からなるn型ガイド層3と、n型ガイド層上に設けられたIII-V族半導体からなる活性層4と、活性層上に設けられたIII-V族半導体からなるp型第1ガイド層5と、p型第1ガイド層上に設けられたIII-V族半導体からなるp型コンタクト層9と、p型第1ガイド層とp型コンタクト層との間に設けられて上面が凹凸形状を有し、p型不純物濃度がp型コンタクト層のp型不純物濃度より低いIII-V族半導体からなる凹凸層8と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III-V族半導体からなり、<1-100>方向への傾斜角度が0°以上45°以下であってかつ<11-20>方向への傾斜角度が0°以上10°以下である{0001}n型半導体基板と、前記n型半導体基板上に設けられたIII-V族半導体からなるn型層と、前記n型層上に設けられたIII-V族半導体からなるn型ガイド層と、前記n型ガイド層上に設けられたIII-V族半導体からなる活性層と、前記活性層上に設けられたIII-V族半導体からなるp型第1ガイド層と、前記p型第1ガイド層上に設けられたIII-V族半導体からなるp型コンタクト層と、前記p型第1ガイド層と前記p型コンタクト層との間に設けられて上面が凹凸形状を有し、p型不純物濃度が前記p型コンタクト層のp型不純物濃度より低いIII-V族半導体からなる凹凸層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 E

Fターム (12件)：

5F041AA24 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA10 , 5F041CA12 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041CB36

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-243330 出願人：株式会社東芝
窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-367549 出願人：株式会社東芝
窒化物半導体を用いた発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-276111 出願人：三菱電線工業株式会社

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