特許
J-GLOBAL ID：200903047317254913
窒化物半導体を用いた発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-276111
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093358
出願日： 2004年09月22日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】本発明の課題は、p側電極の材料として、可視(緑色)〜近紫外波長領域の光に対する反射性の良好な金属を使用する、発光効率の改善された窒化物LEDを提供することである。【解決手段】本発明の窒化物LEDは、p型窒化物半導体層の表面に、n型窒化物半導体からなる厚さ15nm以下のp側コンタクト層が形成され、その上に、Alからなる反射層で該p側コンタクト層と接するp側電極が設けられるという、特徴的な構成を有する。このように形成されたp側電極は、窒化物LEDのp側電極として実用可能な程度に低い接触抵抗を示すうえに、Alが可視〜近紫外波長において高い反射率を有していることから(例えば、波長400nmの光に対して、Alからなる理想的なミラーの反射率は90%を超える)、活性層で生じる光を効率的に反射して、窒化物LEDの発光効率を改善する効果を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層と、窒化物半導体からなる活性層と、p型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体からなる厚さ15nm以下のp側コンタクト層とが、この順に積層された積層体と、
上記p側コンタクト層に形成され、p側コンタクト層に接する部分にAlからなる反射層を含むp側電極とを有し、
上記p側コンタクト層は上記p型窒化物半導体層に接して形成された、発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA87
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA99
, 5F041CB15
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (12件)
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