特許
J-GLOBAL ID：200903019998802529
発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324999
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204831
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】窒化物半導体からなる第1のLEDチップとそれと異なる半導体からなる第2のLEDチップを共に配置させ、各LEDチップの駆動電源を共通化し、小型簡素化、低消費電力化が可能な発光装置を提供する。【解決手段】第1のLEDチップと第2のLEDチップをそれぞれ配置した発光部と、それら第1及び第2のLEDチップを駆動制御する駆動手段とを備える発光装置である。第1のLEDチップは基板201と活性層206間に基板側から順にn型不純物が1×1017/cm3以下である第1窒化物半導体層203、n型不純物を有しn電極が形成された第2窒化物半導体層204、n型不純物が1×1017/cm3以下である第3窒化物半導体層205を有し、第2窒化物半導体層のn型不純物量が第1及び第3の窒化物半導体層の不純物量よりも多いと共に、駆動手段が第1及び第2のLEDチップにそれぞれ実質的に同一電圧で印加する発光装置である。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる第1のLEDチップと窒化物半導体とは異なる半導体材料からなる第2のLEDチップをそれぞれ配置した発光部と、該発光部の第1のLEDチップ及び第2のLEDチップを駆動制御する駆動手段とを有する発光装置であって、前記第1のLEDチップが基板(201)と活性層(206)との間に、基板側から順にn型不純物が1×1017/cm3以下である第1の窒化物半導体層(203)、n型不純物がドープされn電極が形成される第2の窒化物半導体層(204)、n型不純物が1×1017/cm3以下である第3の窒化物半導体層(205)を有し前記第2の窒化物半導体層(204)のn型不純物が第1の窒化物半導体層(203)及び第3の窒化物半導体層(205)よりも多いと共に、前記駆動手段が第1のLEDチップ及び第2のLEDチップにそれぞれ実質的に同一電圧で印加することを特徴とする発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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