特許

J-GLOBAL ID：200903020026426908

固定研摩パッドを用いた銅化学機械研摩方法及び固定研摩パッドを用いた化学機械研摩のための銅層化学機械研摩溶液

発明者： チョップラ, ダイネッシュ
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー, インク.
代理人 (1件)： 石原 昌典 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-581685
公開番号（公開出願番号）：特表2003-535452
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：

【要約】本発明は、固定研摩パッドを用いた銅化学機械研摩方法、及び固定研摩パッドを用いた化学機械研摩に特に適した銅層化学機械研摩溶液に関する。一つの実施例では、処理はpH値が7.0と同等又はそれ以上のものとして説明されている。一つの実施例では、処理はpH値が7.0と同等又はそれ以下のものとして説明されている。一つの実施例では、固定研摩パッドを用いた化学機械研摩に特に適した銅層化学機械研摩溶液は、容量で約1%から15%存在する銅酸化成分と、重量で約0.01%から2%存在する銅腐食防止剤と、7.0と同等又はそれ以下のpH値とを有する。一つの実施例では、固定研摩パッドを用いた化学機械研摩に特に適した銅層化学機械研摩溶液は、容量で約0.1%から15%存在する銅酸化成分と、容量で約0.1%から15%存在する銅錯化剤と、7.0と同等又はそれ以上のpH値とを有する。

請求項（抜粋）：

化学機械研摩法であって、該方法は、 少なくとも50モル%の銅を含有する層を有する半導体ウェーハを提供する過程と、 固定研摩の化学機械研摩パッドに近接してウェーハを位置決めする過程と、 約0.5容量%から15容量%で存在する銅酸化成分と、約0.01重量%から2重量%で存在する銅腐食防止剤とからなり、pHが約7.0と同じかそれよりも低い銅層化学機械研摩溶液を、ウェーハとパッドの中間に提供する過程と、 ウェーハとパッドの間に銅層化学機械研摩溶液を受け入れた状態で、固定研摩パッドにより、銅含有層を化学機械研摩する過程と、 からなることを特徴とする化学機械研摩法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 13/04

FI (8件)：

H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 R ,  B24B 37/00 H ,  B24B 37/00 J ,  B24B 37/00 Z ,  C09K 13/04

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AB03 ,  3C058BA08 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-263613   出願人：株式会社東芝
• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-044160   出願人：株式会社東芝
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-044316   出願人：株式会社東芝
• 化学機械的研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-153949   出願人：松下電器産業株式会社